دانلود فایل(پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET)

ترانزیستور,دانلود پاورپوینت ترانزیستور ماسفت,دانلود پاورپوینت ترانزیستور MOSFET,دانلود پاورپوینت ترانزیستور اثر میدان,ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا اکسید فلز,دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET,ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتالپاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET|42030387|bna30007102|
در حال حاظر فایل کامل و برتر با عنوان پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET آماده دریافت می باشد برای مشاهده جزئیات فایل به ادامه مطلب یا دریافت فایل بروید.

دانلود


مشخصات فایل
تعداد صفحات101حجم1/943 کیلوبایت فرمت فایل اصلیppt
توضیحات کامل
دانلود مقدمه:ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند. در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود. مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند. کلمات کلیدی:ترانزیستورترانزیستور ماسفتترانزیستور MOSFETترانزیستور اثر میدانترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز فهرست مطالبدو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET; BJT Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ترانزیستور NMOSترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود. اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورسرابطه جریان و ولتاژافزایش ولتاژ VDSاشباع ترانزیستورجریان در ناحیه تریودتکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron) ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)ترانزیستور CMOSشمای ترانزیستور NMOSمشخصه iD-VDSمقاومت کانالکه مستقل از ولتاژ VDS است.اثر محدود بودن مقاومت خروجیرابطه جریان خروجی و ولتاژ VDSمقاومت خروجیاثر بدنهاثر حرارت(Weak avalanche)مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویندبایاس از طریق مقاومت فیدبکبایاس از طریق یک منبع جریان ثابتنقطه بایاس DCشرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع جریان سیگنال در درینگین ولتاژمدار معادل سیگنال کوچکبرای تحلیل مدار برای سیگنال کوچکگین سیگنال کوچکمقدار مقاومت ورودیآنالیز DCمدل Tتقویت کننده سورس مشترک مشخصه های تقویت کننده سورس مشترکتقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورستقویت کننده گیت مشترکمدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترکمشخصات تقویت کننده گیت مشترکمقدار مقاومت خروجی:مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک کاربرد تقویت کننده گیت مشترکتقویت کننده درین مشترک و یاSource Followerمدل سیگنال کوچکعملکرد MOSFET بعنوان سوئیچبدست آوردن نقطه کارمشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS






"